本发明是一种降低石墨烯晶片形核密度的方法，该方法的步骤是首先对铜箔表面进行抛光和氧化预处理，然后在处理后的铜箔表面制备石墨烯晶片。
本发明提出了新的降低石墨烯晶片形核密度的方法，简便易行、效果好。
同时，在本方法的基础上可探究铜基底的粗糙度及氧化程度对石墨烯晶片形核密度的影响，以便进一步增加石墨烯晶片的尺寸，提高石墨烯薄膜的质量。

张儒静 何利民 许振华 李娜 汤智慧

中国航发北京航空材料研究院

100095 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部

本发明是一种降低石墨烯晶片形核密度的方法，该方法的步骤是首先对铜箔表面进行抛光和氧化预处理，然后在处理后的铜箔表面制备石墨烯晶片。
本发明提出了新的降低石墨烯晶片形核密度的方法，简便易行、效果好。
同时，在本方法的基础上可探究铜基底的粗糙度及氧化程度对石墨烯晶片形核密度的影响，以便进一步增加石墨烯晶片的尺寸，提高石墨烯薄膜的质量。