一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。
本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。

赵丽霞 李晓东

中国科学院半导体研究所

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。
本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。