本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法，其包括如下步骤：a)、将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm；b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。
本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm，增加了产能，可将产能提升40％。
容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。

江笠 李敏

上海合晶硅材料有限公司

201617 上海市松江区贵南路500号

本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法，其包括如下步骤：a)、将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm；b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。
本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm，增加了产能，可将产能提升40％。
容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。