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专利摘要

一种包含主体材料和量子自旋缺陷的固态系统,其中所述量子自旋缺陷在室温下具有约300μs以上的T2,其中所述主体材料包含总氮浓度为约20ppb以下的单晶CVD金刚石层,其中,使得在由半径约5μm的圆所限定的区域内单晶金刚石的表面粗糙度R

专利状态

基础信息

专利号
CN200980123822.6
申请日
2009-07-22
公开日
2011-05-25
公开号
CN102077222A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

G·A·斯卡司布鲁克 D·J·特维切 M·L·马克汉姆

申请人

六号元素有限公司

申请人地址

英国马恩岛巴拉萨拉

专利摘要

一种包含主体材料和量子自旋缺陷的固态系统,其中所述量子自旋缺陷在室温下具有约300μs以上的T2,其中所述主体材料包含总氮浓度为约20ppb以下的单晶CVD金刚石层,其中,使得在由半径约5μm的圆所限定的区域内单晶金刚石的表面粗糙度R

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