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专利摘要

本发明涉及一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺,包括如下步骤:步骤一,采用碱性抛光液对多晶硅片进行化学抛光处理;步骤二,采用镀挖一体处理液对抛光后的硅片进行挖孔处理,在硅片表面制备出纳米孔洞;步骤三,采用脱银处理液对挖孔后的多晶硅片进行脱银处理,脱除硅片表面银颗粒;步骤四,采用扩孔处理液对脱银处理后的硅片进行扩孔处理,在硅片表面形成亚微米或微米级的孔洞。
本发明通过对抛光、镀银挖孔、脱银、扩孔的合理控制,使得整个黑硅制绒过程便于控制,简化了制绒步骤,节省槽体数量和设备空间,降低了成本;提高开路电压,提高了组件的CTM;通过优化镀银添加剂组分,降低银含量,配合合理的污水处理工艺,降低了废液处理成本。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010990550.8
申请日
2020-09-19
公开日
2021-01-08
公开号
CN112201724A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

刘瑞鸿 姬俊杰 冯永康 余刚 常传波

申请人

镇江仁德新能源科技有限公司 镇江荣德新能源科技有限公司

申请人地址

212210 江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路998号

专利摘要

本发明涉及一种金刚线切割多晶硅片制绒工艺,包括如下步骤:步骤一,采用碱性抛光液对多晶硅片进行化学抛光处理;步骤二,采用镀挖一体处理液对抛光后的硅片进行挖孔处理,在硅片表面制备出纳米孔洞;步骤三,采用脱银处理液对挖孔后的多晶硅片进行脱银处理,脱除硅片表面银颗粒;步骤四,采用扩孔处理液对脱银处理后的硅片进行扩孔处理,在硅片表面形成亚微米或微米级的孔洞。
本发明通过对抛光、镀银挖孔、脱银、扩孔的合理控制,使得整个黑硅制绒过程便于控制,简化了制绒步骤,节省槽体数量和设备空间,降低了成本;提高开路电压,提高了组件的CTM;通过优化镀银添加剂组分,降低银含量,配合合理的污水处理工艺,降低了废液处理成本。

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