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专利摘要

准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。
13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。
复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。
通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。
5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1);0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2);1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

专利状态

基础信息

专利号
CN201580064055.1
申请日
2015-11-25
公开日
2019-07-09
公开号
CN107002284B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

今井克宏 岩井真 下平孝直

申请人

日本碍子株式会社

申请人地址

日本国爱知县

专利摘要

准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。
13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。
复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。
通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。
5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1);0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2);1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

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