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专利摘要

本发明公开了一种单晶体石墨材料制备装置,包括反应炉,所述反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层,所述隔层固定在反应炉内壁上,所述反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板,所述磨损板固定在反应炉内壁上,磨损板部分位于隔层上方,磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒,磨损板的另一面上设置有电阻加热器,连接磨损板设置有振动装置,所述振动装置分别连接每个磨损板,所述反应炉上还设置有内部鼓风装置。
与现有技术相比,本发明的一种单晶体石墨材料制备装置,首先将石墨片材进行高温加热,然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损,将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离,完成石墨单晶体制备。

专利状态

基础信息

专利号
CN201610774899.1
申请日
2016-08-31
公开日
2017-01-04
公开号
CN106283184A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

沈宇栋 徐胜利 冯祺

申请人

无锡东恒新能源科技有限公司

申请人地址

214037 江苏省无锡市江海西路金山北科技园29-30号

专利摘要

本发明公开了一种单晶体石墨材料制备装置,包括反应炉,所述反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层,所述隔层固定在反应炉内壁上,所述反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板,所述磨损板固定在反应炉内壁上,磨损板部分位于隔层上方,磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒,磨损板的另一面上设置有电阻加热器,连接磨损板设置有振动装置,所述振动装置分别连接每个磨损板,所述反应炉上还设置有内部鼓风装置。
与现有技术相比,本发明的一种单晶体石墨材料制备装置,首先将石墨片材进行高温加热,然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损,将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离,完成石墨单晶体制备。

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