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专利摘要

本实用新型提供了一种区熔炉热量反射装置,包括底盘、立柱以及设置在立柱上的反射片;所述底盘为圆环结构,底盘上设有不少于一个立柱;每个所述立柱上设有不少于一个反射片,反射片朝向底盘轴线方向放置。
本实用新型所述的一种区熔炉热量反射装置通过利用单晶硅片将单晶硅棒向外辐射的热量再反射到单晶硅棒上,能降低单晶硅棒表面轴向和径向温度梯度,可以避免单晶硅棒因冷却过快而产生裂纹,同时使单晶硅棒表面轴向温度梯度减小,缩小了单晶表面与单晶中心的温度差,使单晶硅棒的径向电阻率更均匀,提升单晶硅的产品质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN201921625433.0
申请日
2019-09-26
公开日
2020-09-22
公开号
CN211546718U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

涂颂昊 安爱博 李伟凡 张志富 赵阳 王遵义 孙健

申请人

天津中环领先材料技术有限公司

申请人地址

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内

专利摘要

本实用新型提供了一种区熔炉热量反射装置,包括底盘、立柱以及设置在立柱上的反射片;所述底盘为圆环结构,底盘上设有不少于一个立柱;每个所述立柱上设有不少于一个反射片,反射片朝向底盘轴线方向放置。
本实用新型所述的一种区熔炉热量反射装置通过利用单晶硅片将单晶硅棒向外辐射的热量再反射到单晶硅棒上,能降低单晶硅棒表面轴向和径向温度梯度,可以避免单晶硅棒因冷却过快而产生裂纹,同时使单晶硅棒表面轴向温度梯度减小,缩小了单晶表面与单晶中心的温度差,使单晶硅棒的径向电阻率更均匀,提升单晶硅的产品质量。

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