本发明公开了一种钙铝石型半导体材料的制备方法。
该方法首先将苯系物A和钙铝石材料C12A7共同置于试管中并密封。
然后，将试管置于高温炉中并升温至200～300℃，保温0.5～2小时使A挥发形成气氛。
接下来，提高试管加热温度至900～1300℃，保持高温处理10～120小时即得到黑色的导电C12A7材料。
本发明不需要在高真空环境下操作，制备过程简单；制备所用到的苯系物种类多、价格低廉且用量少，为导电C12A7的生产提供了多种选择途径并有效的降低了制造成本；有利于该材料的工业化生产，具有重大的应用推广价值。

汤盛文 余文志 周伟 李杨 阿湖宝

武汉大学

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

本发明公开了一种钙铝石型半导体材料的制备方法。
该方法首先将苯系物A和钙铝石材料C12A7共同置于试管中并密封。
然后，将试管置于高温炉中并升温至200～300℃，保温0.5～2小时使A挥发形成气氛。
接下来，提高试管加热温度至900～1300℃，保持高温处理10～120小时即得到黑色的导电C12A7材料。
本发明不需要在高真空环境下操作，制备过程简单；制备所用到的苯系物种类多、价格低廉且用量少，为导电C12A7的生产提供了多种选择途径并有效的降低了制造成本；有利于该材料的工业化生产，具有重大的应用推广价值。