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专利摘要

本发明提供一种晶体生长炉,包括腔室、坩埚及通气结构,坩埚设置于腔室内,通气结构包括通气管路和设置在腔室中的汇流室;通气管路的进气口开设于腔室的底壁上,通气管路穿过腔室的底壁,与汇流室相连通;汇流室设置于坩埚的下方,与坩埚的底壁固定连接,用以将通气管路内的工艺气体汇聚至坩埚的底壁。
应用本申请,提升了参与反应的工艺气体的均匀性,从而提高了工艺结果的重复性和稳定性,且可以满足通气操作的实时性,提升了设备调试窗口的确定性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010536809.1
申请日
2020-06-12
公开日
2020-08-14
公开号
CN111534854A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

郭雪娇

申请人

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

专利摘要

本发明提供一种晶体生长炉,包括腔室、坩埚及通气结构,坩埚设置于腔室内,通气结构包括通气管路和设置在腔室中的汇流室;通气管路的进气口开设于腔室的底壁上,通气管路穿过腔室的底壁,与汇流室相连通;汇流室设置于坩埚的下方,与坩埚的底壁固定连接,用以将通气管路内的工艺气体汇聚至坩埚的底壁。
应用本申请,提升了参与反应的工艺气体的均匀性,从而提高了工艺结果的重复性和稳定性,且可以满足通气操作的实时性,提升了设备调试窗口的确定性。

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