半导体结构及其形成方法

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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，微信公众号马克 数据网 。一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成延伸至所述基底中的侧墙层；刻蚀所述侧墙层露出的基底材料，形成沟槽；在所述沟槽中形成源漏掺杂层。一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；沟槽，位于所述栅极结构之间的衬底中；源漏掺杂层，位于所述沟槽中；侧墙层，位于所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙层的底端延伸至所述源漏掺杂层中。本发明减小了短沟道效应对器件的影响，提高了器件性能。