高电子迁移率晶体管的封装结构

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马-克-数据 。1.一种高电子迁移率晶体管的封装结构，其特征在于，包括：
一第一终端，包括一第一平台、一第一连接部及多个第一引脚，其中该第一连接部位于该第一平台与该些第一引脚之间；
一第二终端，包括一第二平台、一第二连接部及多个第二引脚，其中该第二连接部位于该第二平台与该些第二引脚之间；
一半导体晶粒，具有一顶面，该顶面具有一第一电极与一第二电极，该半导体晶粒倒置设置，该第一电极耦接该第一平台，该第二电极耦接该第二平台；以及
一封装体，包覆该半导体晶粒、该第一平台及该第二平台，其中该些第一引脚位于该封装体的一侧，该些第二引脚位于该封装体的另一侧，该第一连接部具有一第一外露侧面，该第二连接部具有一第二外露侧面，该第一外露侧面与该第二外露侧面位于该封装体外，该第一外露侧面与该第二外露侧面具有一第一距离，该第一距离大于2.5mm。