一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构

专利主权项内容

1.一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构，其特征在于，包括：
陶瓷底座本体(1)，环形边框(2)，环形边框金属化层(3)，封口环(4)，封口环金属化层(5)，腔体(6)，热沉区(7)，底座顶面(8)，功能区(9)，金属热沉(10)，金属通孔(11)，内腔金属化层(12)，散热电极片焊接金属化层(13)，散热电极片(14)，引脚电极片焊接金属化层(15)，引脚电极片(16)，盖板(17)；
所述内腔金属化层(12)包括芯片焊接区、键合区、传输线，芯片焊接区、键合区、传输线制作在热沉区(7)、底座顶面(8)、功能区(9)设定的区域；
所述封口环(4)位于陶瓷底座本体(1)的环形边框(2)的顶部，通过环形边框金属化层(3)与环形边框(2)连接；
所述陶瓷底座本体(1)为多层陶瓷共烧体，每层陶瓷上面有金属通孔(11)和互连线，层与层之间按设定的线路通过金属通孔(11)和互连线进行电气连接；
陶瓷底座本体(1)底面有1个散热电极片(14)，1个以上引脚电极片焊接金属化层(15)，散热电极片(14)通过散热电极片焊接金属化层(13)与贯穿式金属热沉(10)连接，引脚电极片(16)通过引脚电极片焊接金属化层(15)、金属通孔(11)与内腔组装区域内相应的端口连接；
陶瓷底座本体(1)包括凸起的环形边框(2)、低于环形边框底部的组装区域，组装区域包括贯穿式金属热沉(10)、芯片焊接区、键合区及传输线；
芯片焊接区制作在设定不同深度的平底凹坑区域；
贯穿式金属热沉(10)垂直贯穿陶瓷底座本体(1)，金属热沉(10)的内表面制作有内腔金属层，集成功率芯片，金属热沉(10)的外表面通过散热电极片焊接金属化层(13)与散热电极片(14)连接；
组装区域内相应器件与键合区之间通过键合丝连接；
盖板(17)位于封口环(4)上面，通过封口环金属化层(5)与封口环(4)密封连接，形成气密性性封装腔体(6)。