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半导体结构

申请号: CN202420963486.8
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
更新日期: 2026-04-25

摘要文本

台湾积体电路制造股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,一种半导体结构包括第一半导体基材、第一互连结构、第二互连结构、含金属的直通硅穿孔以及介电质直通硅穿孔。第一互连结构位于第一半导体基材的前侧上。第二互连结构位于第一半导体基材的背侧上。含金属的直通硅穿孔穿过第一半导体基材并与第一互连结构和第二互连结构电性耦合。介电质直通硅穿孔穿过第一半导体基材。

专利主权项内容

1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
一第一半导体基材;
一第一互连结构,位于该第一半导体基材的一前侧上;
一第二互连结构,位于该第一半导体基材的一背侧上;
一含金属的直通硅穿孔,穿过该第一半导体基材并与该第一互连结构和该第二互连结构电性耦合;以及
一介电质直通硅穿孔,穿过该第一半导体基材。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 半导体结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420963486.8
申请日 2024/5/7
公告号 CN222281990U
公开日 2024/12/31
IPC主分类号 H01L23/528
权利人 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人 鍾嘉哲; 岑家荣; 刘致为
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号