提高通流能力的碳化硅MOSFET器件

专利主权项内容

1.提高通流能力的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：
碳化硅衬底(1)；
碳化硅漂移层(2)，设置在所述碳化硅衬底(1)上，其顶部设从下而上依次设置的N+区(3)和JFET区(7)；
PW区(4)，位于JFET区(7)内，从所述碳化硅漂移层(2)的顶面向下延伸，与所述N+区(3)连接；
NP区(5)，位于所述PW区(4)内，从所述PW区(4)的顶面向下延伸，与所述N+区(3)设有间距；
PP区(6)，从所述PW区(4)的顶面向下延伸，位于所述NP区(5)的中部，与所述N+区(3)设有间距；
栅氧层(8)，位于所述JFET区(7)的顶面；
欧姆金属层(11)，位于所述栅氧层(8)内，底部与所述NP区(5)和PP区(6)连接；
Poly层(9)，位于所述栅氧层(8)的顶面；
隔离介质层(10)，设置在所述Poly层(9)的顶面，并从侧部向下延伸，与所述NP区(5)连接；
正面电极金属(12)，覆盖在所述隔离介质层(10)和欧姆金属层(11)的顶面。 来自马-克-数-据-官网