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一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET
申请人信息
- 申请人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
- 申请人地址:100000 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
- 发明人: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420586759.1 |
| 申请日 | 2024/3/25 |
| 公告号 | CN222051774U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 发明人 | 李昀佶; 杨光锐; 施广彦; 张长沙 |
| 地址 | 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 |
摘要文本
泰科天润半导体科技(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供了一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有突起部，该突起部为倒凸字形；阱区，所述阱区连接至所述漂移层；源区，所述源区连接至所述阱区；栅介质层，所述栅介质层分别连接所述漂移层的突起部以及阱区；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述源区以及漂移层；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底，提高抑制动态雪崩能力。
专利主权项内容
1.一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
碳化硅衬底，
漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有突起部，该突起部为倒凸字形；
阱区，所述阱区连接至所述漂移层；
源区，所述源区连接至所述阱区；
栅介质层，所述栅介质层分别连接所述漂移层的突起部以及阱区；
源极金属层，所述源极金属层分别连接所述源区以及漂移层；
栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层；
以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底。