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一种硅片的表面处理方法
申请人信息
- 申请人:安徽清电硅业有限公司
- 申请人地址:231604 安徽省合肥市肥东县合肥循环经济示范园管委会101室
- 发明人: 安徽清电硅业有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅片的表面处理方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311717262.5 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117637443A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 安徽清电硅业有限公司 |
| 发明人 | 赵旺; 张娟宁; 齐成天; 杨正文; 杨凯文 |
| 地址 | 安徽省合肥市肥东县合肥循环经济示范园管委会101室 |
摘要文本
本申请涉及一种硅片的表面处理方法，包括如下步骤：使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，去除硅片表面的脏污层；使用碱性溶液进行硅片表面的第二次清洗，去除硅片表面存在的损伤层；使用纯水进行硅片表面的第三次清洗，去除硅片表面残留的杂质；干燥硅片；进行硅片的表面的吸杂工艺。通过增加清洗剂清洗的步骤使得脏污层被清理掉，避免了后续的碱洗去除损伤层时，出现碱性的不溶性杂质，导致后续的清洗过程需要增加酸洗过程进行去除，不仅增加了处理工序，还增加了试剂的使用成本，甚至会影响后续的吸杂效果。本申请有效地解决了现有技术中硅片在切割过程中容易产生脏污层，影响硅片吸杂前的生产效率的问题。
专利主权项内容
1.一种硅片的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S10使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，去除所述硅片表面的脏污层；S20使用碱性溶液进行所述硅片表面的第二次清洗，去除所述硅片表面存在的损伤层；S30使用纯水进行所述硅片表面的第三次清洗，去除所述硅片表面残留的杂质；S40干燥所述硅片；S50进行所述硅片的表面的吸杂工艺。