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一种基于P3HT的p-i-n型钙钛矿太阳电池的制备方法
申请人信息
- 申请人:链行走新材料科技(广州)有限公司
- 申请人地址:511466 广东省广州市南沙区珠江街南江二路6号自编1栋2层2210
- 发明人: 链行走新材料科技(广州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于P3HT的p-i-n型钙钛矿太阳电池的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410090454.6 |
| 申请日 | 2024/1/22 |
| 公告号 | CN117729821A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H10K71/12 |
| 权利人 | 链行走新材料科技(广州)有限公司 |
| 发明人 | 施信波; 高进伟; 姜月; 王祯; 彭阳丽 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区珠江街南江二路6号自编1栋2层2210 |
摘要文本
本发明公开了一种基于P3HT的p‑i‑n型钙钛矿太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1.在导电基底上刮涂空穴传输层；S2.在空穴传输层上依次设置钙钛矿层、电子传输层和顶电极；所述导电基底的材料为FTO导电基底或ITO导电基底；所述空穴传输层为P3HT层。该方法可以在无需添加其他物质或更改溶剂的情况下，有效改善涂覆后P3HT的链取向和排列方式，一方面，极大改善P3HT材料的浸润性，便于钙钛矿层的涂覆；另一方面，其face‑on的排列方式可以有效解决P3HT与钙钛矿界面的不良接触造成的低效率、低浸润的问题。
专利主权项内容
1.一种基于P3HT的p-i-n型钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在导电基底上刮涂空穴传输层；S2.在空穴传输层上依次设置钙钛矿层、电子传输层和顶电极；所述导电基底的材料为FTO导电基底或ITO导电基底；所述空穴传输层为P3HT层。