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一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410177833.9 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117747657A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本发明提供一种具有high‑k/low‑k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该AlGaN/GaN HEMT包括：高K介质层所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆。本发明在缓冲层中引入了高K介质和低K介质的复合介质结构，高K介质和低K介质的复合介质结构能够改变电场分布从而提高器件的击穿电压，还增加了背势垒层，背势垒层可以提高沟道到缓冲层的电子势垒高度，从而降低AlGaN/GaN HEMT器件缓冲层的背景载流子浓度并抑制沟道电子向势垒层扩散，从而减小流经器件缓冲层的泄漏电流，提高耐压能力。在相同栅源电压下，AlxGa1‑xN缓冲层的Al组分越高器件的泄漏电流越低，从而器件的击穿电压越高。 （来源 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT，其特征在于，包括：高K介质层；所述高K介质层位于缓冲层中并被缓冲层和衬底包覆。