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多孔集流体的制备方法、制造装置、电极以及二次电池
申请人信息
- 申请人:深圳市汉嵙新材料技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕山大道66号厂房101、201
- 发明人: 深圳市汉嵙新材料技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 多孔集流体的制备方法、制造装置、电极以及二次电池 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410179763.0 |
| 申请日 | 2024/2/18 |
| 公告号 | CN117712389A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01M4/80 |
| 权利人 | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 |
| 发明人 | 易典; 王荣福; 袁昌理; 朱海峰; 张志鹏; 曾兴明 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕山大道66号厂房101、201 |
摘要文本
本申请提供了一种多孔集流体的制备方法、制造装置、电极以及二次电池。该多孔集流体的制备方法包括如下步骤：在衬底上沉积包括MXene材料的导电材料层；以及，将溅射有导电材料层的衬底置于电离溅射腔室中，控制峰值溅射功率为105W以上，使工作气体电离并轰击导电材料层，以在MXene材料上形成孔洞。该方式能够在二维的MXene材料表面形成微小的孔洞，从而增大制备的MXene材料的孔隙率，使其能够负载更多的活性物质。并且该轰击过程基本不会破坏MXene材料的主体结构，因此其在形成孔洞的过程中对于MXene材料的导电性能的影响较小，还能够保持MXene材料的高导电性能。
专利主权项内容
1.一种多孔集流体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上沉积包括MXene材料的导电材料层；以及，将溅射有导电材料层的衬底置于电离溅射腔室中，控制峰值溅射功率为10W以上，使工作气体电离并轰击所述导电材料层，以在所述MXene材料上形成孔洞。5。更多数据：