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一种光子芯片图案结构的制作方法及系统
申请人信息
- 申请人:江苏南里台科技有限公司
- 申请人地址:226001 江苏省南通市开发区小海街道崇州大道60号紫琅科技城15号楼602
- 发明人: 江苏南里台科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种光子芯片图案结构的制作方法及系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410224750.0 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117805968A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | G02B6/132 |
| 权利人 | 江苏南里台科技有限公司 |
| 发明人 | 周炆杰 |
| 地址 | 江苏省南通市开发区小海街道崇州大道60号紫琅科技城15号楼602 |
摘要文本
本发明实施例提供一种光子芯片图案结构的制作方法及系统，涉及光子芯片技术。光子芯片图案结构的制作方法包括：提供晶圆片和掩模版，所述掩模版包括透过区域和阻挡区域；将所述掩模版设置于所述晶圆片的正面一侧，并将所述掩模版与所述晶圆片对准；采用真空蒸发淀积、磁控溅射淀积和化学气相沉积中的至少一种制作工艺，在所述晶圆片上生长特定结构。本发明实施例提供一种光子芯片图案结构的制作方法及系统，以提供一种针对光子芯片图案结构中特定结构的制作方法及系统。 该数据由<>整理
专利主权项内容
1.一种光子芯片图案结构的制作方法，其特征在于，包括：提供晶圆片和掩模版，所述掩模版包括透过区域和阻挡区域；将所述掩模版设置于所述晶圆片的正面一侧，并将所述掩模版与所述晶圆片对准；采用真空蒸发淀积、磁控溅射淀积和化学气相沉积中的至少一种制作工艺，在所述晶圆片上生长特定结构。