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一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
申请人信息
- 申请人:南昌凯迅光电股份有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
- 发明人: 南昌凯迅光电股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410159974.8 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117712830A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01S5/183 |
| 权利人 | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 发明人 | 陈宝; 孙岩; 谢粤平; 戴文; 李俊承; 王克来 |
| 地址 | 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号 |
摘要文本
本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。上述垂直腔面发射激光器，包括：GaAs衬底，以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型GaAs帽子层和导电增透膜层；其中，所述P型DBR层局部区域通过离子注入形成贯通所述P型DBR层的环状离子注入带，所述环状离子注入带将所述P型DBR层分成环内的第一非离子注入区，以及环外的第二非离子注入区，且所述第二非离子注入区将所述环状离子注入带完全包围。该结构可以实现单一激光模式，同时具有输出功率高、低阈值电流，器件可靠性高和加工过程简易的优点。
专利主权项内容
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：GaAs衬底；以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型GaAs帽子层和导电增透膜层；其中，所述P型DBR层局部区域通过离子注入形成贯通所述P型DBR层的环状离子注入带，所述环状离子注入带将所述P型DBR层分成环内的第一非离子注入区，以及环外的第二非离子注入区，且所述第二非离子注入区将所述环状离子注入带完全包围；所述P型DBR层紧邻所述导电增透膜层的局部表面设置有P型GaAs帽子层，且所述P型GaAs帽子层嵌入至所述导电增透膜层中；所述P型GaAs帽子层设置于所述第一非离子注入区的正上方，所述P型GaAs帽子层的外沿不超过所述第一非离子注入区；所述导电增透膜层远离所述GaAs衬底一侧的表面设置有P面电极，所述P面电极具有出光孔，所述出光孔与所述第一非离子注入区形状相适配。 （来自 ）