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一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法
申请人信息
- 申请人:乌镇实验室
- 申请人地址:314500 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号
- 发明人: 乌镇实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410166978.9 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117715497A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H10N10/853 |
| 权利人 | 乌镇实验室 |
| 发明人 | 万舜; 白旭东; 魏天然; 金敏; 赵琨鹏; 金涵 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号 |
摘要文本
本发明涉及热电材料领域，针对方钴矿基材料抗氧化性能差的问题，提供一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法。复合材料由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1?20 vol.%，复合材料在650?850 K温度下不发生粉化。热电优值为方钴矿热电材料基体的0.8?1.2倍。复合材料的制备方法采用放电等离子体烧结或者热压烧结。本发明在方钴矿材料中加入纳米第二相材料硅，在不恶化方钴矿基热电材料热电性能的同时，大幅度提升其抗氧化性能。 更多数据：
专利主权项内容
1.一种抗氧化方钴矿基热电复合材料，其特征在于，由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1-20vol.%，复合材料在650-850 K温度下不发生粉化。