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集成半导体装置
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 集成半导体装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420083900.6 |
| 申请日 | 2024/1/12 |
| 公告号 | CN222106683U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/367 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 文克刚; 王良玮; 陈殿豪; 萧琮介 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
提供集成半导体装置。集成半导体装置包括第一半导体结构，具有第一集成电路；第二半导体结构，堆叠于第一半导体结构上并具有第二集成电路。第二半导体结构具有第一表面面向第一半导体结构，与第二表面远离第一半导体结构。集成半导体装置亦包括散热结构，其具有第一部分部分地穿过第一集成电路，以及第二部分完全穿过第二半导体结构并暴露于第二半导体结构的第二表面。第二部分可位于第二集成电路之外。
专利主权项内容
1.一种集成半导体装置，其特征在于，包括：
一第一半导体结构，包含一第一集成电路；
一第二半导体结构，堆叠于该第一半导体结构上并包含一第二集成电路，该第二半导体结构具有一第一表面面向该第一半导体结构与一第二表面远离该第一半导体结构；以及
一散热结构，具有一第一部分部分地穿过该第一集成电路，与一第二部分完全穿过该第二半导体结构并暴露于该第二半导体结构的该第二表面，且该第二部分位于该第二集成电路之外。