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一种新型功率半导体模块铜带连接结构
申请人信息
- 申请人:斯达半导体股份有限公司
- 申请人地址:314000 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号
- 发明人: 斯达半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种新型功率半导体模块铜带连接结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420323785.5 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN222106696U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/492 |
| 权利人 | 斯达半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 张海鹏 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 |
摘要文本
本实用新型涉及功率模块技术领域，具体涉及一种新型功率半导体模块铜带连接结构。包括，左右设置的一第一金属化陶瓷衬底和一第二金属化陶瓷衬底；多个半导体芯片，分别设于第一金属化陶瓷衬底和第二金属化陶瓷衬底的上表面；多个铜带，铜带的第一端连接第一金属化陶瓷衬底，铜带的第二端连接第二金属化陶瓷衬底。本实用新型通过采用铜带键合，可获得更好的抗热膨胀应力及抗过电流能力，具有良好的耐腐蚀性和强度，在一定程度降低模块产热的同时，亦可增加模块的散热能力，有利于提高产品的高温可靠性。
专利主权项内容
1.一种新型功率半导体模块铜带连接结构，其特征在于，包括，
左右设置的一第一金属化陶瓷衬底(3)和一第二金属化陶瓷衬底(7)；
多个半导体芯片(1)，分别设于所述第一金属化陶瓷衬底(3)和所述第二金属化陶瓷衬底(7)的上表面；
多个铜带(6)，所述铜带(6)的第一端连接所述第一金属化陶瓷衬底(3)，所述铜带(6)的第二端连接所述第二金属化陶瓷衬底(7)。