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一种用于合成碳化硅的坩埚结构

申请号: CN202420805745.4
申请人: 苏州清研半导体科技有限公司
更新日期: 2026-03-30

摘要文本

苏州清研半导体科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型涉及碳化硅粉料合成技术领域,特别涉及一种用于合成碳化硅的坩埚结构;包括内层石墨坩埚体,包括围合形成第一内腔室的第一底部锅体、第一侧部锅体、第一顶部锅体;外层石墨坩埚体,套设在内层坩埚体的外部,包括围合形成第二腔室的第二底部锅体、第二侧部锅体、第二顶部锅体;第一底部锅体和第二底部锅体之间围合形成底部空间,第一侧部锅体和第二侧部锅体围合形成侧部空间,第一顶部锅体和第二顶部锅体围合形成顶部空间;第二底部锅体、第二侧部锅体、第二顶部锅体的外壁满铺保温材料;本实用新型中一种用于合成碳化硅的坩埚结构,使得碳化硅粉料合成期间具有稳定均匀温度场,促进粉料合成反应能一次完成,得到粒径均匀的碳化硅粉料。

专利主权项内容

1.一种用于合成碳化硅的坩埚结构,其特征在于,包括:
内层石墨坩埚体,包括围合形成第一内腔室的第一底部锅体、第一侧部锅体、第一顶部锅体;
外层石墨坩埚体,套设在内层坩埚体的外部,包括围合形成第二腔室的第二底部锅体、第二侧部锅体、第二顶部锅体;所述第一底部锅体和第二底部锅体之间围合形成底部空间,所述第一侧部锅体和第二侧部锅体围合形成侧部空间,第一顶部锅体和第二顶部锅体围合形成顶部空间;
所述第二底部锅体、第二侧部锅体、第二顶部锅体的外壁满铺保温材料。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种用于合成碳化硅的坩埚结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420805745.4
申请日 2024/4/18
公告号 CN222100206U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 C30B29/36
权利人 苏州清研半导体科技有限公司
发明人 罗胜益; 石林; 杨倩倩
地址 江苏省苏州市吴中区甪直镇东方大道268号中科半导体产业社区A幢802-803室、B幢1-2层