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一种碳化硅长晶余料再利用的长晶装置

申请号: CN202420818859.2
申请人: 深圳市国碳半导体科技有限公司
更新日期: 2026-03-30

摘要文本

深圳市国碳半导体科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种碳化硅长晶余料再利用的长晶装置,包括坩埚,所述坩埚外表面的上端螺纹连接有石墨盖,所述坩埚内腔的中端放置有支撑挡板,所述支撑挡板的底部与坩埚内腔的下端之间填充有碳化硅粉。本实用新型通过利用不同规格的第一长晶余料、第二长晶余料和第三长晶余料再次长晶,解决了余料处理成本高和回收难的问题,并且节约了碳化硅粉的用量,减少了原料的消耗,起到降低成本的效果,同时通过将不同规格的第一长晶余料、第二长晶余料、第三长晶余料和碳化硅粉、硅粉等按照一定的比例和位置搭配填充于坩埚内作为长晶原料,能平衡碳化硅粉长晶过程中气相组分里的Si/C的比例,保证长晶过程平稳进行。

专利主权项内容

1.一种碳化硅长晶余料再利用的长晶装置,包括坩埚(1),其特征在于:所述坩埚(1)外表面的上端螺纹连接有石墨盖(2),所述坩埚(1)内腔的中端放置有支撑挡板(9),所述支撑挡板(9)的底部与坩埚(1)内腔的下端之间填充有碳化硅粉(12),所述碳化硅粉(12)的中端填充有硅粉(6),所述碳化硅粉(12)底部的中端与坩埚(1)内腔的底部之间填充有第一长晶余料(7),所述碳化硅粉(12)的两侧与坩埚(1)内腔两侧的下端之间均填充有第二长晶余料(8),所述碳化硅粉(12)的顶部与支撑挡板(9)的顶部之间放置有第三长晶余料(10)。。微信公众号

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种碳化硅长晶余料再利用的长晶装置
专利类型 实用新型
申请号 CN202420818859.2
申请日 2024/4/18
公告号 CN222100207U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 C30B29/36
权利人 深圳市国碳半导体科技有限公司
发明人 周林
地址 广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区爱群路同富裕工业区4-1号厂房一层