本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。
相对于现有技术，本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。

王俊杰

上海华虹宏力半导体制造有限公司

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。
相对于现有技术，本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。