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专利摘要

本发明涉及一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法,先以遮光基材为原料,在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层,在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案;在凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料;再使用高能光束透过透光衬底,使凹槽中填充的掩膜材料固化,形成掩膜层;对遮光基材和衬底材料进行刻蚀;去除掩膜层,在衬底材料上获得微纳米结构图案。
本发明的制作方法成本低,不需要使用蒸镀等高耗能方法制备掩膜层;可以简单、低能耗、高效率地制备厚度较大的掩膜层,大大降低高深宽比微纳米结构图案制备的困难度。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711467340.5
申请日
2017-12-29
公开日
2018-05-29
公开号
CN108091552A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

李若松 黄翀

申请人

长沙新材料产业研究院有限公司

申请人地址

410205 湖南省长沙市岳麓区麓谷企业广场B8栋7楼

专利摘要

本发明涉及一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法,先以遮光基材为原料,在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层,在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案;在凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料;再使用高能光束透过透光衬底,使凹槽中填充的掩膜材料固化,形成掩膜层;对遮光基材和衬底材料进行刻蚀;去除掩膜层,在衬底材料上获得微纳米结构图案。
本发明的制作方法成本低,不需要使用蒸镀等高耗能方法制备掩膜层;可以简单、低能耗、高效率地制备厚度较大的掩膜层,大大降低高深宽比微纳米结构图案制备的困难度。

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