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专利摘要

本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构,包括:衬底,具有贯穿的空腔;第一电极层,形成在所述衬底的正面上方并且覆盖所述空腔,其中,所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料;第一压电层,形成在所述第一电极层上方;第二电极层,形成在所述第一压电层上方。
与传统的通过先形成振膜和压电单元而后湿法或干法蚀刻形成背面空腔的方法相比,本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔,从而降低了制造成本,而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910661030.X
申请日
2019-07-22
公开日
2021-01-29
公开号
CN112279213A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

刘端

申请人

安徽奥飞声学科技有限公司

申请人地址

230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室

专利摘要

本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构,包括:衬底,具有贯穿的空腔;第一电极层,形成在所述衬底的正面上方并且覆盖所述空腔,其中,所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料;第一压电层,形成在所述第一电极层上方;第二电极层,形成在所述第一压电层上方。
与传统的通过先形成振膜和压电单元而后湿法或干法蚀刻形成背面空腔的方法相比,本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔,从而降低了制造成本,而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。

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