本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构的制造方法，包括：在衬底内形成贯穿所述衬底的空腔；在所述衬底的正面上方形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；在所述第一电极层上方依次形成第一压电层和第二电极层。
与传统的制造方法相比，本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔，从而降低了制造成本，而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。

刘端

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本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构的制造方法，包括：在衬底内形成贯穿所述衬底的空腔；在所述衬底的正面上方形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；在所述第一电极层上方依次形成第一压电层和第二电极层。
与传统的制造方法相比，本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔，从而降低了制造成本，而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。