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专利摘要

本实用新型公开了一种基于双悬空结构的可调红外热辐射器件,包括下层悬空结构和上层悬空结构;下层悬空结构自下而上依次包括基底、下层支撑层、下层加热层、下层导电层;所述的上层悬空结构自下而上依次包括上层支撑层、上层绝缘层、上层导电层、上层半导体微纳结构,或者依次包括上层支撑层、上层绝缘层、上层金属微纳结构;通过调节下层悬空结构的温度,调节可调红外热辐射器件的黑体辐射背景谱线,通过加电压控制上下层导电层之间的静电力,影响其形变程度,从而推动上层悬空结构靠近或者远离下层悬空结构,改变上层空气间隙,进而改变微纳结构的辐射波长以及辐射强度,可以在低功耗状态下,实现波长调谐及强度调制等功能。

专利状态

基础信息

专利号
CN202020840698.9
申请日
2020-05-19
公开日
2021-01-08
公开号
CN212321428U
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

何赛灵 郭庭彪 贺楠

申请人

浙江大学

申请人地址

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

专利摘要

本实用新型公开了一种基于双悬空结构的可调红外热辐射器件,包括下层悬空结构和上层悬空结构;下层悬空结构自下而上依次包括基底、下层支撑层、下层加热层、下层导电层;所述的上层悬空结构自下而上依次包括上层支撑层、上层绝缘层、上层导电层、上层半导体微纳结构,或者依次包括上层支撑层、上层绝缘层、上层金属微纳结构;通过调节下层悬空结构的温度,调节可调红外热辐射器件的黑体辐射背景谱线,通过加电压控制上下层导电层之间的静电力,影响其形变程度,从而推动上层悬空结构靠近或者远离下层悬空结构,改变上层空气间隙,进而改变微纳结构的辐射波长以及辐射强度,可以在低功耗状态下,实现波长调谐及强度调制等功能。

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