本实用新型公开了一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构，将MEMS器件敏感结构中的质量块离散为多个子质量块，各子质量块分别由独立的弹性梁支撑在衬底上；各子质量块分别对应设置检测其运动信号的子检测电极；位于各子质量块同一偏转方向侧的各子检测电极串联连接。
本实用新型通过将质量块离散成各子质量块，使各子质量块的质量、面积进行了减小，对应的冲击加速度在子质量块上产生的惯性力也相应的减小。
通过合理设计，单个子质量块的抗冲击能力较原有整体质量块大幅提升。
该方法不仅可以提高MEMS器件的抗冲击能力，也可用于抑制MEMS器件敏感结构受加速度影响而产生的g灵敏度。

凤瑞 周铭 商兴莲

中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

215163 江苏省苏州市高新区龙山路89号

本实用新型公开了一种质量离散化的MEMS器件抗冲击结构，将MEMS器件敏感结构中的质量块离散为多个子质量块，各子质量块分别由独立的弹性梁支撑在衬底上；各子质量块分别对应设置检测其运动信号的子检测电极；位于各子质量块同一偏转方向侧的各子检测电极串联连接。
本实用新型通过将质量块离散成各子质量块，使各子质量块的质量、面积进行了减小，对应的冲击加速度在子质量块上产生的惯性力也相应的减小。
通过合理设计，单个子质量块的抗冲击能力较原有整体质量块大幅提升。
该方法不仅可以提高MEMS器件的抗冲击能力，也可用于抑制MEMS器件敏感结构受加速度影响而产生的g灵敏度。