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专利摘要

一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法,属于功能材料制备技术领域。
具体过程如下:以六方氮化硼粉末或者硼粉为原料,掺入一定量的纯碳粉,在氮气流中,将催化合金放在原料粉末上,先高温加热使合金熔融,保持一段时间,令粉末充分溶于合金中,达到饱和后,以极低速度降温,晶体会在金属合金表面析出,生长出高产量高质量的六方氮化硼单晶。
目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题是晶体生长困难、产量小、质量低,而本发明所述方法结构简单,原理清晰,效果显著,对于提高六方氮化硼单晶的产量具有很优异的效果,同时对于六方氮化硼的广泛应用以及其他半导体材料或二维材料的研究与发展也具有重大意义。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910317457.8
申请日
2019-04-19
公开日
2021-05-18
公开号
CN110067027B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

万能 张思源 赵小康 徐康 邵志勇

申请人

东南大学

申请人地址

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼二号

专利摘要

一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法,属于功能材料制备技术领域。
具体过程如下:以六方氮化硼粉末或者硼粉为原料,掺入一定量的纯碳粉,在氮气流中,将催化合金放在原料粉末上,先高温加热使合金熔融,保持一段时间,令粉末充分溶于合金中,达到饱和后,以极低速度降温,晶体会在金属合金表面析出,生长出高产量高质量的六方氮化硼单晶。
目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题是晶体生长困难、产量小、质量低,而本发明所述方法结构简单,原理清晰,效果显著,对于提高六方氮化硼单晶的产量具有很优异的效果,同时对于六方氮化硼的广泛应用以及其他半导体材料或二维材料的研究与发展也具有重大意义。

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