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专利摘要

本发明提供了一种利用激光束制备单晶纳米颗粒的方法,所述方法包括:在基底上沉积纳米薄膜,用激光束辐照所述纳米薄膜,得到单晶纳米颗粒阵列。
本发明所述方法采用激光束辐照纳米薄膜,通过控制纳米薄膜的厚度来控制纳米颗粒的大小,形成均匀分布的纳米颗粒阵列,所述纳米颗粒粒径均一、晶体品质高、可以大面积制备;所述方法操作简单,绿色高效。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810846308.6
申请日
2018-07-27
公开日
2020-08-11
公开号
CN108893781B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王雷 刘前

申请人

国家纳米科学中心

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

专利摘要

本发明提供了一种利用激光束制备单晶纳米颗粒的方法,所述方法包括:在基底上沉积纳米薄膜,用激光束辐照所述纳米薄膜,得到单晶纳米颗粒阵列。
本发明所述方法采用激光束辐照纳米薄膜,通过控制纳米薄膜的厚度来控制纳米颗粒的大小,形成均匀分布的纳米颗粒阵列,所述纳米颗粒粒径均一、晶体品质高、可以大面积制备;所述方法操作简单,绿色高效。

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