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专利摘要

本发明涉及一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途,该晶体分子式为Rb

专利状态

基础信息

专利号
CN202010493030.6
申请日
2020-06-03
公开日
2020-08-07
公开号
CN111501100A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

潘世烈 黄述朝 杨云

申请人

中国科学院新疆理化技术研究所

申请人地址

830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号

专利摘要

本发明涉及一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途,该晶体分子式为Rb

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