专利摘要
本发明涉及一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途,该晶体分子式为Rb
专利状态
基础信息
- 专利号
- CN202010493030.6
- 申请日
- 2020-06-03
- 公开日
- 2020-08-07
- 公开号
- CN111501100A
- 主分类号
- /C/C30/ 化学;冶金
- 标准类别
- 晶体生长
- 批准发布部门
- 国家知识产权局
- 专利状态
- 审查中-实审
发明人
潘世烈 黄述朝 杨云
申请人
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址
830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
专利摘要
本发明涉及一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途,该晶体分子式为Rb
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