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专利摘要

本发明涉及一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法,所述上转换晶体材料为Yb

专利状态

基础信息

专利号
CN201810943027.2
申请日
2018-08-17
公开日
2021-07-13
公开号
CN109181684B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

张博 苏良碧 钱小波 姜大朋 王静雅 吴庆辉 唐飞 刘荣荣

申请人

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址

200050 上海市长宁区定西路1295号

专利摘要

本发明涉及一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法,所述上转换晶体材料为Yb

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