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专利摘要

本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内,所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置,所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部,所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方,且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板,所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周,所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶,所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的,所述遮蔽构件由至少1个结构体构成,所述结构体具有非平板形状,所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时,所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910369851.6
申请日
2019-05-06
公开日
2021-06-22
公开号
CN110468454B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

藤川阳平

申请人

昭和电工株式会社

申请人地址

日本东京都

专利摘要

本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内,所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置,所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部,所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方,且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板,所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周,所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶,所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的,所述遮蔽构件由至少1个结构体构成,所述结构体具有非平板形状,所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时,所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。

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