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超结MOSFET及半导体器件
摘要文本
杭州富芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种超结MOSFET及半导体器件，包括衬底、第一外延层、沟槽、第二外延层、本征外延层、阱区、源区、栅氧化层以及栅极。第一外延层设置于衬底上，且第一外延层的掺杂类型为第一掺杂类型。沟槽设置于外延层中。第二外延层填充于第一沟槽，且第二外延层的掺杂类型为第二掺杂类型。本征外延层设置于第二外延层和第一外延层之间。阱区设置于第二外延层中，且阱区的掺杂类型为第二掺杂类型。栅氧化层设置于外延层上。栅极设置于栅氧化层上。透过前述配置，保持第一外延层和第二外延层的载流子迁移率和掺杂浓度的稳定，从而降低后续例如退火或氧化等高温制程带来的电性影响。
专利主权项内容
1.一种超结MOSFET，其特征在于，包括：
衬底(10)；
第一外延层(20)，位于所述衬底(10)的上表面，且所述第一外延层(20)的掺杂类型为第一掺杂类型；
第一沟槽(TR1)，由所述第一外延层(20)的上表面延伸至其内部；
第二外延层(30)、本征外延层(40)，均位于所述第一沟槽(TR1)内，其中，所述本征外延层(40)覆盖在所述第一沟槽(TR1)的内表面，将所述第二外延层(30)与所述第一外延层(20)隔离，所述第二外延层(30)的掺杂类型为第二掺杂类型；
阱区(50)，从所述第一外延层(20)的上表面延伸至所述第二外延层(30)内，且所述阱区(50)的掺杂类型为所述第二掺杂类型；
源区(60A、60B)，设置于所述阱区(50)中，且所述源区(60A、60B)的掺杂类型为所述第一掺杂类型；
栅氧化层(70A、70B)，设置于所述第一外延层(20)的上表面；以及
栅极(80A、80B)，设置于所述栅氧化层(70A、70B)的上表面。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 超结MOSFET及半导体器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323465443.1 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN222071951U |
| 公开日 | 2024/11/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 赵毅; 陈水良; 李秀柱; 曹文康; 符小干; 李贤; 陈海涛 |
| 地址 | 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区) |