射频芯片封装结构

专利主权项内容

1.一种射频芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、源端射频芯片和功率放大芯片，其中，所述源端射频芯片的厚度大于所述功率放大芯片的厚度；所述基板具有相对的第一表面和第二表面；
所述基板的第一表面贴附所述功率放大芯片的区域设置有第一通孔，所述第一通孔内填充有第一金属体，所述功率放大芯片通过导热胶体与所述第一金属体接触连接；
所述基板的第一表面贴附所述源端射频芯片的区域设置有第二通孔，所述第二通孔内填充有第二金属体，所述第二金属体的表面下沉于所述基板的第一表面，以与所述基板形成凹陷结构，所述源端射频芯片容置于所述凹陷结构内，并通过导热胶体与所述第二金属体接触连接；
所述第一金属体被构造为第一散热焊盘，所述第二金属体被构造为第二散热焊盘，所述基板的所述第二表面设置有多个电连接焊盘；
在所述基板的厚度方向上，所述多个电连接焊盘、所述第一散热焊盘和所述第二散热焊盘三者的投影不交叠。