混合型超快恢复MOS管封装结构及对应的电子器件

专利主权项内容

1.一种混合型超快恢复MOS管封装结构，其特征在于，其包括：
低压MOS管芯片，其包括，
低压MOS管衬底，设置于所述低压MOS管芯片的第一侧；
低压MOS管源极，设置于所述低压MOS管芯片的第二侧；
低压MOS管栅极，设置于低压MOS管芯片的第二侧；
低压MOS管漏极，设置于低压MOS管芯片的第二侧；
连通装置，一端与所述低压MOS管衬底连接，另一端与所述低压MOS管源极连接，用于将所述低压MOS管源极与所述低压MOS管衬底导通；
高压MOS管芯片，其包括，
高压MOS管源极，设置于所述高压MOS管芯片的第一侧，与所述低压MOS管衬底连接；
高压MOS管漏极，设置于所述高压MOS管芯片的第二侧；
高压MOS管栅极，设置于所述高压MOS管芯片的第一侧，与所述低压MOS管栅极连接，从而形成所述封装结构的控制端；
二极管芯片，其包括，
二极管正极，与所述低压MOS管漏极连接，从而形成所述封装结构的第一连接端；
二极管负极，与所述高压MOS管漏极连接，从而形成所述封装结构的第二连接端。