一种场效应管器件

专利主权项内容

1.一种场效应管器件，所述的器件包括有第一导电型外延层，位于所述的第一导电型外延层内的一系列元胞沟槽，所述的元胞沟槽内设有相互隔离的屏蔽栅电极和位于所述的屏蔽栅电极上方的栅极电极，所述的器件顶部设有上表面金属；其特征在于，所述的元胞沟槽之间位于半导体上部交替排列的第一区域和第二区域，所述的第一区域包括第二导电型掺杂体区、设于所述的第二导电型掺杂体区上方元胞沟槽两侧的第一导电型重掺杂的第一源区、位于第一源区之间的第二导电型重掺杂的接触掺杂区以及位于第一源区和接触掺杂区上方的接触孔沟槽；所述的第二区域包括有第二导电型掺杂体区以及设于所述的第二导电型掺杂体区上方的第一导电型重掺杂的“门”字形的第二源区，所述的接触孔沟槽被“门”字形的第二源区的顶部部分隔开后形成非连续的接触孔沟槽，“门”字形第二源区两侧部分则和第一源区相连通形成连续源区；所述的接触掺杂区、第一源区和第二源区通过欧姆接触连接到上表面金属。