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一种具有高可靠性封装结构的功率器件
申请人信息
- 申请人:上海海姆希科半导体有限公司
- 申请人地址:201112 上海市闵行区万芳路1951号2号楼3层
- 发明人: 上海海姆希科半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有高可靠性封装结构的功率器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420685423.0 |
| 申请日 | 2024/4/3 |
| 公告号 | CN222051744U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L23/31 |
| 权利人 | 上海海姆希科半导体有限公司 |
| 发明人 | 汤佳铭; 毛先叶; 林雨晨 |
| 地址 | 上海市闵行区万芳路1951号2号楼3层 |
摘要文本
上海海姆希科半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型属于半导体封装技术领域，提供一种具有高可靠性封装结构的功率器件，包括覆铜陶瓷基板，其设有基板上铜层，在基板上铜层一侧设有芯片；封装层，设置于覆铜陶瓷基板一侧，其对覆铜陶瓷基板设有芯片的一侧包覆，封装层与覆铜陶瓷基板粘接形成一个整体，其中，封装层的热膨胀系数低于覆铜陶瓷基板中铜的热膨胀系数。本申请通过设置热膨胀系数较低、模量较大的封装层，以此抵抗覆铜陶瓷基板在受热过程中产生的应力形变，从而降低覆铜陶瓷基板的弯曲程度，提高功率器件器件的可靠性和使用寿命。
专利主权项内容
1.一种具有高可靠性封装结构的功率器件，其特征在于，包括：
覆铜陶瓷基板，包括基板上铜层、氮化铝陶瓷层以及基板下铜层，所述氮化铝陶瓷层设置于所述基板上铜层和所述基板下铜层之间，所述氮化铝陶瓷层分隔所述基板上铜层和所述基板下铜层，所述基板上铜层位于所述基板下铜层上方，在所述基板上铜层一侧设有芯片；
封装层，具有预设厚度，所述封装层设置于所述覆铜陶瓷基板的上表面，所述封装层对所述覆铜陶瓷基板设有芯片的一侧包覆，所述封装层与所述覆铜陶瓷基板粘接形成一个整体，其中，所述封装层的热膨胀系数低于所述覆铜陶瓷基板中铜的热膨胀系数。