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一种双向PGaN栅GaN功率器件结构
申请人信息
- 申请人:成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
- 申请人地址:610096 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室
- 发明人: 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种双向PGaN栅GaN功率器件结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420735410.X |
| 申请日 | 2024/4/10 |
| 公告号 | CN222051775U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司 |
| 发明人 | 刘勇; 罗鹏; 刘家才; 朱仁强; 秦尧 |
| 地址 | 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室; 广东省深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5188号前海深港青年梦工场北区4栋201A |
摘要文本
成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及是一种双向PGaN栅GaN功率器件结构，包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和绝缘介质层，其中还包括PGaN层，且PGaN层蚀刻在GaN沟道层的外延上，PGaN层上方设置有由栅极金属构成的栅极层，且栅极层内栅极金属对称设置，PGaN层两侧对称设置有漏极，通过设置对称的分离结构栅极金属，可以保证栅极对沟道的耗尽作用，同时可以增加栅极对沟道的控制能力和提高栅极可靠性。同时，通过特殊设计的栅极结构，可以提高栅极对沟道的控制能力以避免短沟道效应，并且分布式栅极结构可以避免栅极泄漏电流集中效应，从而降低栅极局部失效风险，从而提高器件的栅极可靠性。
专利主权项内容
1.一种双向PGaN栅GaN功率器件结构，包括衬底层(9)、缓冲层(10)、GaN沟道层(11)、AlGaN势垒层(12)和绝缘介质层(13)，其特征在于，还包括PGaN层，且PGaN层蚀刻在GaN沟道层(11)的外延上，所述PGaN层上方设置有由栅极金属构成的栅极层，且栅极层内栅极金属对称设置，PGaN层两侧对称设置有漏极，且工作时电流能从一侧漏极流向另一侧漏极。 来源：百度马 克 数据网