← 返回列表

半导体封装单元、IGBT封装结构及IGBT装置

申请号: CN202420533664.3
申请人: 海南航芯高科技产业集团有限责任公司
更新日期: 2026-06-12

摘要文本

海南航芯高科技产业集团有限责任公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种半导体封装单元,包括导电片、焊接于导电片上的第一芯片和第二芯片及CLIP件,CLIP件包括小CLIP件和大CLIP件,小CLIP件焊接于第一芯片和导电片之间,大CLIP件的宽度大于等于第二芯片的三分之二且包括沿前后方向依次设置的前焊接片、中焊接片、后焊接片、连接前焊接片和中焊接片的前连接桥,及连接中焊接片和后焊接片的后连接桥,后焊接片焊接于第二芯片上且长度大于等于第二芯片的三分之二,前焊接片和中焊接片分别焊接于导电片上并位于小CLIP件的两侧,前连接桥间距跨于小CLIP件之上,前连接桥高于后连接桥。本实用新型还公开了包含该半导体封装单元的IGBT封装结构和IGBT装置。本实用新型节省空间,且CLIP件的贴装稳定性高,散热性好。

专利主权项内容

1.一种半导体封装单元,包括导电片、焊接于所述导电片上的第一芯片和第二芯片,以及CLIP件,其特征在于:所述CLIP件包括小CLIP件和大CLIP件,所述小CLIP件焊接于所述第一芯片和导电片之间,所述大CLIP件的宽度大于等于所述第二芯片对应方向宽度的三分之二,且包括沿前后方向依次设置的前焊接片、中焊接片、后焊接片,以及连接所述前焊接片和中焊接片的前连接桥、连接所述中焊接片和后焊接片的后连接桥,所述后焊接片焊接于所述第二芯片上且所述后焊接片的长度大于等于所述第二芯片对应方向长度的三分之二,所述前焊接片和中焊接片分别焊接于所述导电片上并位于所述小CLIP件的两侧,并使所述前连接桥跨于所述小CLIP件之上并与所述小CLIP件之间具有间距,所述前连接桥的桥面高度高于所述后连接桥。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 半导体封装单元、IGBT封装结构及IGBT装置
专利类型 实用新型
申请号 CN202420533664.3
申请日 2024/3/19
公告号 CN222146205U
公开日 2024/12/10
IPC主分类号 H01L23/488
权利人 海南航芯高科技产业集团有限责任公司
发明人 李恊松; 严大生; 卢家辉
地址 海南省海口市琼山区滨江街道办琼州大道21号琼山区商务局办公楼三楼