集成功率器件及HEMT晶体管

专利主权项内容

1.一种集成功率器件，其特征在于，包括：
异质结构，包括沟道层和阻挡层；
源极接触、漏极接触和栅极区域，其中所述栅极区域在所述阻挡层上、在所述源极接触与所述漏极接触之间，所述栅极区域具有顶侧、第一横侧、和第二横侧；
绝缘场结构，在所述阻挡层上、在所述栅极区域与所述漏极接触之间；以及
场板，在所述绝缘场结构上，
其中所述绝缘场结构包括：在所述阻挡层上的第一电介质材料的第一电介质区域；以及在所述第一电介质区域上的第二电介质材料的第二电介质区域，所述第二电介质材料相对于所述第一电介质材料是能够选择性地刻蚀的；
其中，在所述绝缘场结构朝向所述栅极区域的侧上，所述场板与所述第一电介质区域接触；并且
其中所述场板与所述栅极区域的所述第一横侧重叠，与所述栅极区域的所述顶侧部分地重叠，并且不与所述栅极区域的所述第二横侧重叠。 来自-数-据