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图像传感器及其制备方法

申请号: CN202311787086.2
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 图像传感器及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311787086.2
申请日 2023/12/25
公告号 CN117497551A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 H01L27/146
权利人 合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人 陈维邦; 郑志成
地址 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

摘要文本

本申请涉及一种图像传感器的制备方法及图像传感器。图像传感器的制备方法包括:提供衬底,所述衬底设有多个间隔排布的光电元件;于所述衬底上形成隔离层;对所述隔离层进行刻蚀,形成分别与所述光电元件对应设置的多个凹槽;其中,每一所述凹槽的槽壁至少一部分为凹陷面,所述凹陷面为入射光的反射面以将所述入射光反射至所述光电元件;于所述凹槽内形成透光介质层;基于所述透光介质层去除剩余所述隔离层,以形成开口;基于所述开口形成隔离件。采用本制备方法能够提高了光电元件的通光面积。 该数据由<专利查询网>整理

专利主权项内容

1.一种图像传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供衬底,所述衬底设有多个间隔排布的光电元件;于所述衬底上形成氧化层;于所述氧化层上形成隔离层;对所述隔离层进行刻蚀,形成分别与所述光电元件对应设置的多个凹槽;其中,每一所述凹槽的槽壁至少一部分为凹陷面,所述凹陷面为入射光的反射面以将所述入射光反射至所述光电元件;于所述凹槽内形成透光介质层;其中,所述透光介质层与所述氧化层接触设置;基于所述透光介质层去除剩余所述隔离层,以形成开口;基于所述开口形成隔离件。