← 返回列表

一种叠层结构贴片方法及叠层结构贴片系统

申请号: CN202410142212.7
申请人: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种叠层结构贴片方法及叠层结构贴片系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202410142212.7
申请日 2024/2/1
公告号 CN117715405A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H05K13/04
权利人 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
发明人 高晓斌; 梁杰; 王轶; 滕杨杨
地址 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号

摘要文本

本发明涉及一种叠层结构贴片方法及叠层结构贴片系统;包括如下步骤:在陶瓷覆铜基板(ABM)覆银膏,获得待用陶瓷覆铜基板(ABM);采用至少一对吸嘴,一对吸嘴分别为第一吸嘴和第二吸嘴,对第一吸嘴和第二吸嘴进行加热,第一吸嘴和第二吸嘴内形成负压后,第一吸嘴和第二吸嘴分别吸附铜片(DTS),移动第一吸嘴和第二吸嘴,将铜片和对应的芯片粘附于一体,形成叠层组件;移动第一吸嘴和第二吸嘴,将吸附的叠层组件贴装于待用陶瓷覆铜基板(ABM)对应位置上;通过叠层结构贴片方法的提出以解决现有技术中存在的现有的SiC芯片的贴装方法需要两个吸嘴共同完成一个SiC芯片和一个铜片的贴装,工作效率低的技术问题。。 (来自 )

专利主权项内容

1.一种叠层结构贴片方法,其特征在于:包括如下步骤:在陶瓷覆铜基板(ABM)覆银膏,获得待用陶瓷覆铜基板(ABM),将待用陶瓷覆铜基板(ABM)放置于贴片平台,对平台进行加热,使得平台加热至140±20℃,并在平台形成负压,负压值为-80至-70kpa;采用至少一对吸嘴,一对吸嘴分别为第一吸嘴和第二吸嘴,对第一吸嘴和第二吸嘴进行加热,使得第一吸嘴和第二吸嘴温度达到90±10℃;第一吸嘴和第二吸嘴内形成负压后,第一吸嘴和第二吸嘴分别吸附背面带有胶点的铜片(DTS),移动第一吸嘴和第二吸嘴,将铜片和对应的芯片粘附于一体,形成叠层组件;移动第一吸嘴和第二吸嘴,将吸附的叠层组件贴装于待用陶瓷覆铜基板(ABM)对应位置上,完成贴装。 数据由马 克 团 队整理