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碳化硅外延生长承载装置

申请号: CN202420642548.5
申请人: 广东天域半导体股份有限公司
更新日期: 2026-03-24

专利详细信息

项目 内容
专利名称 碳化硅外延生长承载装置
专利类型 实用新型
申请号 CN202420642548.5
申请日 2024/3/29
公告号 CN222119469U
公开日 2024/12/6
IPC主分类号 C30B25/12
权利人 广东天域半导体股份有限公司
发明人 高伟; 韩景瑞; 丁雄傑; 扆书樵; 李锡光
地址 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

摘要文本

本实用新型公开一种碳化硅外延生长承载装置,其包括石墨托盘以及限位结构,所述石墨托盘设有用于承载晶圆的承载凸台,所述限位结构包括石墨环以及多个限位台,所述石墨环设于所述石墨托盘上并且其顶面高于所述承载凸台,多个所述限位台间隔地设于所述石墨环的顶面。因此,当晶圆因温场的不均匀而发生边缘翘曲时,所述限位台仍可以阻挡晶圆的边缘,即便是在外力作用下,也可以有效防止晶圆滑出石墨托盘,从而有效保护晶圆,减少晶圆掉落及裂片的风险,同时也避免了晶圆滑出而受到的污染,提高晶圆的质量。。更多数据:

专利主权项内容

1.一种碳化硅外延生长承载装置,其特征在于,包括:
石墨托盘,所述石墨托盘设有用于承载晶圆的承载凸台;
限位结构,所述限位结构包括石墨环以及多个限位台,所述石墨环设于所述石墨托盘上并且其顶面高于所述承载凸台,多个所述限位台间隔地设于所述石墨环的顶面。