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碳化硅外延片生长载盘
申请人信息
- 申请人:广东天域半导体股份有限公司
- 申请人地址:523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
- 发明人: 广东天域半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅外延片生长载盘 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420642554.0 |
| 申请日 | 2024/3/29 |
| 公告号 | CN222119470U |
| 公开日 | 2024/12/6 |
| IPC主分类号 | C30B25/12 |
| 权利人 | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 张郁坚; 马爽; 李锡光 |
| 地址 | 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼 |
摘要文本
本实用新型公开一种碳化硅外延片生长载盘，包括主体载盘、绝热环及石墨环，主体载盘的中部凸设有内圈凸环，绝热环具有呈圆环状的支撑部，所述支撑部置于所述内圈凸环的上方，石墨环设于所述主体载盘的边缘位置，且所述石墨环的顶部高于所述绝热环的顶部。外延生长时，衬底放置于所述绝热环的支撑部上，通过所述绝热环来隔离碳化硅衬底与主体载盘的直接接触，从而隔绝固体传热途径，只利用气体传热以及热辐射作为外延热源进行外延，以得到更均匀的温度场，使外延片具有更好的浓度均匀性，提高碳化硅外延片的质量。
专利主权项内容
1.一种碳化硅外延片生长载盘，其特征在于，包括：
主体载盘，所述主体载盘的中部凸设有内圈凸环；
绝热环，所述绝热环具有呈圆环状的支撑部，所述支撑部的外径与所述内圈凸环的外径相同，所述支撑部置于所述内圈凸环的上方；
石墨环，所述石墨环设于所述主体载盘的边缘位置，且所述石墨环的顶部高于所述支撑部的顶部。